报告摘要：
氧化镓（Ga2O3）具有4.85 eV的超宽禁带宽度，高于第三代半导体碳化硅（SiC）的3.2 eV、氮化镓（GaN）的3.39 eV，在功率电子器件、深紫外探测等应用领域受到世界各国科研和产业界的强烈关注。氧化镓半导体器件产业链包括单晶衬底、外延薄膜、器件制作等多个环节。其中，单晶和外延薄膜是材料基础，其品质直接决定器件的性能。本报告将简要介绍氧化镓材料发展状况，然后重点介绍我们课题组氧化镓外延薄膜表界面电子结构，掺杂与缺陷机制以及氧化镓基日盲光电探测器等方面的研究进展。
张洪良，厦门大学化学化工学院教授。2012年获得牛津大学无机化学博士学位，2008年新加坡国立大学硕士学位，2003年山东大学本科。2012-2017年先后在美国西北太平洋国家实验室和剑桥大学从事博士后工作。研究方向为（1）宽禁带氧化物半导体薄膜外延、能带调控及光电探测器件；（2）过渡金属氧化物薄膜电子结构与光、电、磁、催化性能构效关系研究。迄今在Phys. Rev. Lett., Nat. Commun., Adv. Mater.，J. Am. Chem. Soc., Phys. Rev. B.,等发表论文150余篇，申请专利11项。主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金委面上基金、企业合作研发等项目8项。曾获国家高层次“青年”人才、剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship、台湾积体电路制造公司（TMSC）最佳国际研究生科研奖。
